Láng giềng Việt Nam đạt đột phá nhờ cựu chuyên gia rời ASML về quê hương, giấc mơ tự chủ công nghệ chip ngày càng gần

Các nhà nghiên cứu Trung Quốc đã phá vỡ rào cản đối với hoạt động sản xuất chip tiên tiến trong nước khi xây dựng thành công nền tảng nguồn sáng EUV (tia cực tím cực trị) với các thông số tiệm cận tiêu chuẩn quốc tế, theo một bài báo khoa học mới công bố.

Dự án do ông Lin Nan – cựu trưởng bộ phận công nghệ nguồn sáng tại ASML (Hà Lan) – dẫn dắt, hiện thuộc Viện Quang học và Cơ học chính xác Thượng Hải, trực thuộc Viện Hàn lâm Khoa học Trung Quốc.

ASML hiện là nhà sản xuất duy nhất trên thế giới cung cấp máy in thạch bản EUV – thiết bị then chốt trong sản xuất chip dưới 7nm. Tuy nhiên, hãng đã bị cấm xuất khẩu các hệ thống tiên tiến nhất sang Trung Quốc từ năm 2019 do áp lực từ Chính phủ Mỹ.

Trong cuộc gọi với nhà đầu tư ngày 16/4, CEO ASML Christophe Fouquet cho biết “việc tạo ra một nguồn sáng EUV là có thể, nhưng để chế tạo được máy in thạch bản EUV hoàn chỉnh, Trung Quốc sẽ mất rất nhiều năm”.

Ông Lin trở về Trung Quốc năm 2021 theo chương trình thu hút nhân tài cấp cao từ nước ngoài và thành lập nhóm nghiên cứu công nghệ in thạch bản tiên tiến – đơn vị thực hiện nghiên cứu nói trên.

Trước khi gia nhập ASML, ông từng là học trò của Anne L’Huillier – người đoạt giải Nobel Vật lý 2023 và thành viên Viện Hàn lâm Khoa học Hoàng gia Thụy Điển – trong khuôn khổ học bổng Marie Sklodowska-Curie của Liên minh châu Âu.

Nghiên cứu, đăng trên tạp chí Chinese Journal of Lasers số tháng 3, cho biết nhóm đã phát triển thành công nguồn sáng EUV dùng plasma tạo bởi laser (LPP) – thành phần cốt lõi trong các hệ thống in thạch bản EUV – đánh dấu một bước đột phá tiềm năng cho ngành bán dẫn Trung Quốc.

Nhóm nghiên cứu viết: “Nền tảng thử nghiệm này sẽ hỗ trợ quá trình nội địa hóa nguồn sáng EUV dựa trên laser trạng thái rắn và các hệ thống đo lường liên quan, đóng vai trò quan trọng trong việc phát triển công nghệ in thạch bản EUV và những linh kiện chủ chốt”.

Theo bài báo, Lin và nhóm của ông đã xây dựng một nền tảng sử dụng laser thể rắn – khác với các thiết bị thương mại của ASML vốn dùng công nghệ laser CO2 công suất cao để khắc mẫu mạch lên silicon và các vật liệu nền.

Laser CO2 có thể đạt công suất hơn 10kW và tần suất phát xung cao, trong khi hệ thống laser trạng thái rắn truyền thống có hiệu suất thấp hơn. Tuy nhiên, nhóm nghiên cứu chỉ ra rằng các laser CO2 tuy mạnh nhưng lại cồng kềnh, tiêu hao điện lớn (hiệu suất cắm tường dưới 5%) và chi phí vận hành đắt đỏ.

Họ nhận xét trong báo cáo: “Laser xung trạng thái rắn đã có những bước tiến vượt bậc trong thập kỷ qua, hiện đạt mức công suất kilowatt và có thể tăng gấp 10 lần trong tương lai. Loại laser này có kích thước nhỏ gọn, hiệu suất cắm tường khoảng 20% và có tiềm năng thay thế CO2 làm nguồn dẫn cho thế hệ tiếp theo của công nghệ LPP-EUV”.

Nhóm dự kiến sẽ tiếp tục bổ sung các phép đo để tối ưu hóa cả mô hình lý thuyết lẫn kết quả thực nghiệm.

Theo SCMP

>> Láng giềng Việt Nam chính thức vận hành thủy phi cơ lớn nhất thế giới